PHI Genesis

PHI GENESIS đại diện cho một tiêu chuẩn mới trong phân tích bề mặt, cung cấp khả năng tự động hóa chưa từng có, khả năng đa kỹ thuật và phân tích XPS và HAXPES hiệu suất cao.

 

Tính năng chính:

  • Dễ dàng vận hành: Dễ dàng thiết lập các chế độ phân tích thông thường và nâng cao cho nhiều kỹ thuật, tất cả trên một giao diện trực quan.
  • Đa dạng kỹ thuật phân tích: Nhiều tùy chọn đáp ứng các nhu cầu phân tích bề mặt khác nhau.
  • Xác định chính xác vị trí phân tích: Dễ dàng xác định vị trí cần phân tích nhờ hình ảnh SXI có độ phân giải dưới 5 μm.
  • Phân tích nhanh, hiệu quả cao: Hệ thống tự động định vị mẫu và hỗ trợ giá giữ mẫu có kích thước lên đến 80 × 80 mm.
  • Phân tích theo chiều sâu (Depth Profiling): Phân tích nhanh theo chiều sâu mà không làm phá hủy mẫu, với nhiều súng ion tập trung tại cùng một điểm.
  • Nguồn tia X quét kép đồng tiêu (Confocal Dual Scanning X-ray Source): Cho phép phân tích XPS và HAXPES tại cùng một vị trí.
  • Trung hòa điện tích bằng hai chùm tia: Cho phép phân tích XPS và AES trên các mẫu cách điện.
genesis
G1
g2
g3

Phụ kiện tùy chọn:

  • HAXPES (Cr)

  • UPS

  • LEIPS

  • AES

  • REELS

  • Nguồn tia X hai anode (Mg/Mg, Mg/Al, Mg/Zr)

  • Súng ion hai nguồn, sử dụng chùm ion Ar đơn nguyên tử và Ar dạng cụm

  • Công cụ đo kích thước cụm ion Ar (Ar-GCIB)

  • Súng ion cụm C₆₀ 20 kV

  • Khẩu độ thu góc hẹp

  • Hệ thống gia nhiệt và làm lạnh mẫu

  • Cấp điện áp 4 tiếp điểm

  • Bình chuyển mẫu

  • Hệ thống bơm chuyên dụng cho buồng nạp mẫu

  • Kính hiển vi độ phóng đại cao để quan sát mẫu trực tiếp

Liên hệ